Samsung Electronics станет пионером на рынке памяти, запустив коммерческие поставки чипов HBM4. Первые отгрузки запланированы уже на середину февраля. Ключевым клиентом выступит Nvidia, которая интегрирует эту память в свою новую вычислительную платформу Vera Rubin, предназначенную для суперкомпьютеров с искусственным интеллектом. Ожидается, что ускорители на основе HBM4 будут анонсированы Nvidia в марте на конференции GTC 2026.
Источник изображения: Samsung Electronics
Как сообщает южнокорейское издание The Korea Herald со ссылкой на инсайдеров, память HBM4 от Samsung изначально проектировалась с параметрами, превосходящими базовые отраслевые нормы JEDEC. Скорость работы чипа достигает 11,7 Гбит/с, что на 37% выше стандарта JEDEC (8 Гбит/с) и на 22% превосходит показатели предыдущего поколения HBM3E. Пропускная способность одного стека доходит до 3 ТБ/с, а ёмкость при двенадцатислойной структуре составляет 36 ГБ. В будущем шестнадцатислойная компоновка позволит увеличить ёмкость до 48 ГБ. Для производства используется DRAM-техпроцесс шестого поколения 10-нм класса (1c) и собственный четырёхнанометровый логический кристалл.
Источник изображения: Nvidia
Чтобы удовлетворить прогнозируемый спрос, Samsung наращивает мощности на производственной линии Pyeongtaek Campus Line 4. После обновления ежемесячный выпуск пластин с памятью 1c DRAM для HBM4 достигнет примерно 200 тысяч штук. Этот объём составляет около четверти от всех мощностей компании по производству DRAM. По оценкам аналитиков SemiAnalysis, рынок HBM4 окажется поделён между двумя основными игроками: SK hynix займёт порядка 70%, а Samsung получит оставшиеся 30%, в то время как Micron, по сути, выбывает из конкурентной борьбы.
В прошлых поколениях памяти HBM Samsung уступала лидерство SK hynix, что создавало кризис конкурентоспособности. С выходом HBM4 этот разрыв может не только сократиться, но и появится шанс обойти конкурента, который ранее получил преимущество благодаря растущему спросу со стороны дата-центров для задач ИИ.
