С конца 2022 года американские власти ввели запрет на отправку в Китай техники, необходимой для производства местными компаниями 3D NAND-памяти с количеством слоёв свыше 128. Samsung и SK hynix, которые значительную долю своей памяти выпускают именно на китайских заводах, получили исключение из этих ограничений. Благодаря этому первая из них сможет уже в следующем году запустить в Сиане выпуск 286-слойной 3D NAND.
Источник изображения: Samsung Electronics
Естественно, южнокорейские производители обязались перед властями США, что оборудование, которое они получают для своих китайских предприятий, не попадёт в чужие руки. В конце марта, как передаёт TrendForce со ссылкой на Sisa Journal, Samsung запустила на своей китайской фабрике в Сиане массовое производство 236-слойной 3D NAND. Сейчас на этой площадке прекращается выпуск устаревшей 128-слойной памяти, чтобы к следующему году наладить серийное изготовление 286-слойной. Какое-то время она будет здесь выпускаться параллельно с 236-слойной версией. В Сиане Samsung производит примерно 40 % от общего объёма 3D NAND, который поставляется на мировой рынок.
У себя на родине, в Южной Корее, Samsung уже готовится к выпуску памяти нового поколения, которое увеличит количество слоёв до более чем 400. Соответствующее производство должно начаться во второй половине текущего года. Конкурент SK hynix в течение ближайших двух лет планирует запустить серийный выпуск 300-слойной памяти с применением технологии гибридного соединения. Сейчас она производит 321-слойную память по традиционной методике. Китайская YMHC, несмотря на целенаправленные американские санкции, уже освоила выпуск 270-слойной памяти. Более того, Huawei недавно продемонстрировала способ увеличения ёмкости твердотельных накопителей без роста числа слоёв 3D NAND.
