Сейчас на рынке оперативной памяти наступили сложные времена. Благодаря буму искусственного интеллекта DRAM превратилась из сравнительно дешёвого компонента для ПК в стратегически важный ресурс для серверов и вычислительных ускорителей. Производители микросхем памяти один за другим перенаправляют свои мощности на выпуск HBM, а поставки обычной DDR5 становятся всё более дефицитными. Как следствие, ассортимент модулей сужается, цены растут, а привычные принципы выбора памяти для домашнего или рабочего компьютера постепенно теряют актуальность.

При этом последствия этого кризиса ощущают не только покупатели, но и компании, выпускающие оверклокерскую память. Например, в конце прошлого года G.Skill выступила с официальным заявлением, в котором не только объяснила резкий рост цен на модули памяти для ПК беспрецедентным спросом со стороны ИИ-индустрии, но и пожаловалась на собственное затруднительное положение: производитель столкнулся с существенным повышением закупочных цен и ограничением поставок со стороны производителей чипов DRAM.

В таких условиях производителям модулей памяти приходится искать новые решения. Ещё недавно ответ на вопрос, какие микросхемы DDR5 лучше всего подходят для модулей памяти в производительных системах, был очевиден — конечно же, SK hynix. Именно на их основе создавались все самые интересные наборы памяти для платформ AMD и Intel, способные обеспечивать высокие частоты, низкие задержки и отличный разгонный потенциал. Однако сегодня производителям модулей стало сложнее получать достаточное количество таких чипов, поэтому на рынке появляется всё больше комплектов, построенных на альтернативных микросхемах.

К примеру, недавно мы протестировали недорогие комплекты DDR5 и обнаружили два важных момента. Во-первых, чипы SK hynix в этом сегменте стали встречаться крайне редко. Но, во-вторых, даже микросхемы Micron, которые ещё пару лет назад считались заведомо неудачным выбором, сегодня вполне работоспособны в режиме DDR5-6000 с не самыми слабыми таймингами. Иными словами, времена, когда всё, кроме SK hynix, автоматически относилось к категории неинтересных для технически подкованных пользователей решений, постепенно уходят в прошлое.

Однако гораздо более показательным является то, что сейчас происходит в сегменте памяти от известных оверклокерских брендов, которые традиционно делают акцент на продуктах высокого класса. В используемой элементной базе здесь тоже произошло много изменений. Например, в ассортименте той же G.Skill всё чаще начали встречаться довольно дорогие «элитные» комплекты на чипах Samsung. Особенно заметна эта тенденция в серии Trident Z5 Neo, предназначенной для платформы AM5, поскольку для неё сверхвысокие частоты памяти имеют ограниченную ценность, а первостепенное значение играют правильно подобранные тайминги.

И широкое распространение таких комплектов мы не могли оставить без внимания. Дело в том, что по сравнению с привычными решениями на чипах SK hynix их характеристики не выглядят однозначно проигрышными. Возьмём, к примеру, комплект G.Skill Trident Z5 Neo RGB F5-6000J3636F16GX2-TZ5NR, который попал к нам на тестирование. Он предназначен для работы в режиме DDR5-6000 с таймингами 36-36-36-96, и это не такая уж слабая схема. Для сравнения: многие доступные сейчас в продаже наборы DDR5-6000 на чипах SK hynix предлагают формулу 30-40-40-96. Разница есть, но она не выглядит критичной: модули на чипах Samsung имеют более слабую задержку CAS Latency (tCL), но взамен предлагают преимущество в задержке Row to Column Delay (tRCD), которая определяет время между активацией строки и обращением к столбцу памяти. Более того, практика показывает, что в системах на Ryzen задержки tCL и tRCD оказывают на интегральную производительность сопоставимое влияние. Поэтому преимущество комплектов на чипах SK hynix в реальных задачах ещё требует подтверждения на практике.

В этом обзоре мы как раз и попытаемся разобраться, стоит ли в современных условиях зацикливаться на погоне за модулями на чипах SK hynix, или DDR5-комплекты вроде G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB с микросхемами Samsung могут стать достойной альтернативой. Тем более что сегодня модули на чипах SK hynix встречаются в продаже уже не так часто, как раньше, и стоят заметно дороже.

⇡#Комплект G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB: подробности

Набор G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB включает два модуля DDR5-6000 объемом 16 Гбайт каждый, и его внешность вряд ли кого-то поразит. С визуальной точки зрения это типичный представитель линейки Trident Z5 с характерным дизайном радиаторов, имеющих обтекаемые формы и узнаваемый Y-образный профиль в верхней секции, который увеличивает площадь теплоотвода.

В названии комплектов памяти G.Skill, предназначенных для платформы Socket AM5, встречается слово Neo — именно оно указывает на поддержку профилей AMD Expo, которые автоматически активируют рекомендованные настройки BIOS для полного раскрытия потенциала модулей. Кроме того, у таких планок есть еще одна отличительная черта — две контрастные полоски на поверхности радиаторов.

Для тестирования мы выбрали черные модули памяти, и на них эти полосы выполнены в белом цвете. G.Skill не предлагает аналогичных планок с инвертированной расцветкой, однако стоит отметить, что в ассортименте бренда есть очень похожие по параметрам белые модули Trident Z5 RGB DDR5-6000 CL36 32GB (не из серии Neo). Фактически они также поддерживают профили Expo и отлично подходят для систем как на процессорах Intel, так и на Ryzen.

Рассматриваемый в этом обзоре комплект Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB (артикул F5-6000J3636F16GX2-TZ5NR), как понятно из названия, оснащен RGB-подсветкой. Она скрыта под пластиковой рассеивающей вставкой, расположенной между радиаторами сверху. Подсветка выглядит весьма качественно — свечение равномерное, отдельные светодиоды не видны. Управлять световыми эффектами можно как через фирменное ПО от G.Skill, так и с помощью аналогичных утилит от производителей материнских плат.

Тем, кому не нравится дизайн модулей Trident Z5 Neo RGB, G.Skill предлагает другие варианты DDR5-6000 с идентичными характеристиками и компонентной базой. Например, такие же планки доступны в сериях RipJaws M5 RGB с более сдержанным внешним видом, а также в Trident Z5, RipJaws S5, Flare X5 и даже Aegis 5 без RGB-подсветки, с более простыми системами охлаждения и более низкой ценой. Во всех случаях спецификации полностью совпадают:

• комплект из двух модулей DDR5 DIMM по 16 Гбайт каждый;
• рабочий режим DDR5-6000;
• тайминги 36-36-36-96;
• напряжение 1,35 В;
• поддержка профилей AMD Expo 1.1 и Intel XMP 3.0;
• настраиваемая RGB-подсветка;
• пожизненная гарантия.

Однако ключевая особенность комплекта Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB не указана в технических характеристиках, так как она связана с используемыми чипами памяти. Увидеть её можно лишь после снятия одного из радиаторов, которые крепятся к микросхемам с помощью двусторонней термоленты.

Модули данного набора действительно построены на 16-гигабитных чипах Samsung B-die с маркировкой K4RAH086VB-FCQK. Ранее такие чипы были широко распространены в обычной неоверклокерской памяти, но из-за острого дефицита микросхем SK hynix производители комплектов DDR5 для энтузиастов начали уделять им больше внимания. Тем более что тщательный отбор наиболее удачных экземпляров — весьма эффективная стратегия, позволяющая раскрыть разгонный потенциал даже там, где его никто не ожидает.

К тому же сама компания Samsung возложила на свои чипы B-die довольно важную задачу — продолжить легендарную серию микросхем DDR4, которая в своё время стала «золотым стандартом» экстремального разгона благодаря низким задержкам и отличной масштабируемости частоты при повышении напряжения. Однако в случае с чипами DDR5 речь идёт уже о совершенно другом кремнии, имеющем иную архитектуру и изготовленном по другому технологическому процессу — 17-нм классу.

По сравнению с чипами SK hynix (особенно A-die) Samsung B-die проигрывают в частотном потенциале: они не подходят для высокочастотных наборов и не способны обеспечить стабильность при столь же низких таймингах обновления. Тем не менее на средних частотах, которые как раз востребованы в системах на процессорах Ryzen, такие чипы вполне оправданы, особенно учитывая их хорошую переносимость повышения напряжения. Именно поэтому в разгонных комплектах на чипах Samsung производители обычно делают упор не на экстремальные частоты, а на умеренно агрессивные задержки.

Поскольку ёмкость каждого модуля в наборе Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB составляет 16 Гбайт, в рассматриваемых планках используется по восемь чипов, и все они расположены на одной стороне печатной платы — то есть модули являются одноранговыми. Рядом с чипами можно заметить пять светодиодов, отвечающих за RGB-подсветку (ещё пять находятся на обратной стороне платы), а также схему питания с микросхемой PMIC производства Anpec Electronics. В целом внутреннее устройство этих модулей очень напоминает конструкцию любой другой DDR5 SDRAM от G.Skill на чипах SK hynix — как по набору компонентов, так и по дизайну 10-слойной печатной платы. Никаких неожиданностей здесь нет.

Согласно официальным характеристикам, набор Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB рассчитан на работу с задержками 36-36-36-96 при напряжении 1,35 В. Именно такой режим DDR5-6000 записан в профиле Expo. Те же параметры продублированы и в профиле XMP, что говорит об универсальности модулей: несмотря на принадлежность к линейке Trident Z5 Neo RGB, они должны корректно функционировать и в системах с процессорами Intel.

На это прямо указывает список совместимых материнских плат, который компания G.Skill аккуратно ведёт на своём веб-сайте. В нём перечислено множество моделей от ведущих производителей как на чипсетах AMD X870, B850, B840, X670 и B650, так и на Intel Z890, Z790, B790, Z690 и B660.

Из профилей Expo/XMP видно, что G.Skill считает оптимальным для своего комплекта на чипах Samsung использовать задержку tRFC, равную 885. Это довольно высокое значение, однако на практике профили оверклокерских наборов на чипах SK hynix также обычно содержат схожую величину этой задержки. Это означает, что с настройками «из коробки» комплект Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB будет мало отличаться по производительности от более дорогой памяти на чипах SK hynix. Таким образом, можно ожидать, что даже без ручной настройки этот набор не будет заметно уступать более дорогим решениям на чипах SK hynix. Проверим это далее в тестах.

⇡#Особенности работы комплекта G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB

При установке комплекта G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB в материнскую плату на Socket AM5 и активации имеющегося профиля Expo настройки подсистемы памяти становятся следующими.

Неожиданностей не предвидится: контроллер памяти функционирует в едином ритме с планками, для базовых задержек применяется комбинация 36-36-36-96 (tCL-tRCD-tRP-tRAS), а напряжение на модулях поднимается до 1,35 В. Иначе говоря, всё соответствует заложенным в спецификацию параметрам. Показатели фактической пропускной способности и задержек в данной ситуации выглядят так (при использовании процессора Ryzen 7 9850X3D).

Стоит отметить, что цифры на снимке экрана выглядят весьма достойно. Если сопоставить их с результатами, которые демонстрируют типичные модули DDR5-6000 на микросхемах SK hynix с задержками 30-40-40-96, то разница оказывается практически незаметной. По сути, комплект Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB не уступает им по фактической латентности и лишь незначительно отстаёт по скорости чтения и копирования, причём величина этого отставания не превышает 1-2 %.

Тем не менее утверждать, что обычный пользователь не ощутит разницы, было бы не совсем справедливо. Дело в том, что даже при настройках из профилей Expo память на чипах Samsung проявляет иную особенность — более интенсивный нагрев. К примеру, за 15-минутный тест стабильности модули G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB разогреваются до 63 °C даже при напряжении 1,35 В, которое для оверклокерских планок нельзя считать высоким. Проблемы в этом нет — в таком температурном режиме рассматриваемые планки работают без каких-либо сбоев. Однако для сравнения: оснащённые радиаторами модули на чипах SK hynix достигают подобных температур лишь при напряжении около 1,45 В и выше.

Впрочем, важнее здесь не столько абсолютные значения температуры, сколько общий тепловой профиль комплекта G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB. Если вы планируете заниматься оптимизацией его таймингов, то позаботиться о дополнительном охлаждении придётся обязательно. Дело в том, что при увеличении интервала tREFI, продолжительность которого заметно влияет на производительность подсистемы памяти, чипы Samsung становятся гораздо более чувствительными к нагреву, и рост температуры выше 55-60 °C довольно быстро начинает сказываться на их стабильности.

Таким образом, даже если вы не планируете разгон по частоте с повышением напряжения, а просто хотите оптимизировать тайминги, для данного комплекта обязательно потребуется качественный обдув. Иначе полученные результаты могут вас разочаровать. К тому же, хотя чипы Samsung явно положительно реагируют на увеличение напряжения, важно не переусердствовать, чтобы не допустить их перехода в температурно некомфортную зону. Например, для этого комплекта наилучшая оптимизация таймингов была достигнута при напряжении 1,4 В, а повышение до 1,425 В уже привело к некоторому ухудшению конечного результата.

Однако если проблему с отводом тепла удастся решить, память G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB можно настроить на работу с гораздо более агрессивными таймингами, чем указано в спецификациях и профиле Expo. В режиме DDR5-6000 при повышении напряжения до 1,4 В первичные задержки в нашем случае легко сократились до схемы 30-33-33-45, что даже лучше типичных номинальных первичных таймингов модулей на чипах SK hynix. Здесь отчетливо проявилось главное преимущество чипов Samsung — их способность работать с низкой задержкой tRCD, которая у них затягивается даже сильнее, чем у лучших комплектов с микросхемами SK hynix.

Тем не менее у комплекта G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 есть и очевидный недостаток — высокая задержка tRFC даже после ручной настройки. Достигнутый нами минимум составил 780 тактов, что примерно вдвое выше, чем можно получить на оверклокерской памяти с чипами SK hynix. При этом tRFC остается одной из задержек, сильнее всего влияющих на итоговую латентность, и из-за этого после оптимизации таймингов комплект G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 выглядит уже не так впечатляюще на фоне альтернатив с чипами SK hynix.

Еще один выявленный минус — невозможность отключения режима Gear Down Mode с данным комплектом. Для чипов Samsung эта настройка оказалась неприемлемой: при попытке перевести ее в состояние Disabled система с памятью G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB даже не могла пройти начальную загрузку. Это также негативно сказывается на производительности, так как работающий Gear Down Mode дополнительно увеличивает задержки подсистемы памяти и по своему влиянию на производительность примерно эквивалентен переходу от Command Rate 1T к 2T.

Тем не менее практическую задержку, по данным Aida64 Cachemem, все же удалось снизить с 79 до примерно 70 нс, а пропускную способность при чтении довести почти до предела полосы пропускания шины Infinity Fabric, которая в процессорах Ryzen соединяет кристалл CCD с вычислительными ядрами и кристалл IOD, где расположен контроллер памяти.

Если ориентироваться на показатели, которые демонстрирует Aida64 Cachemem, то вручную настроенный набор Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB вовсе не воспринимается как память второго сорта для систем на Ryzen. Несмотря на все недостатки, присущие чипам Samsung, похоже, что стратегия G.Skill может оказаться успешной.

Тем не менее, рассматривая подобные комплекты, стоит учитывать ещё одну их особенность. Даже специально отобранные микросхемы Samsung обладают более скромным частотным потенциалом по сравнению с чипами SK hynix A-die. Именно поэтому на их основе не создаются высокоскоростные модули памяти, а среднечастотные наборы отличаются довольно ограниченным разгонным потолком. К примеру, тестируемый комплект G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB при увеличении напряжения до 1,4 В мог стабильно работать только в режиме DDR5-7000, а попытка поднять частоту выше приводила к потере стабильности. Для памяти, предназначенной для Ryzen, это не столь критично, так как практическая польза от дальнейшего увеличения частоты за пределами диапазона DDR5-6000–6400 обычно незначительна, а для достижения более быстрых режимов часто приходится отказываться от синхронной работы контроллера памяти. Однако для систем с процессорами Intel наборы вроде G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB выглядят скорее как компромисс, поскольку высокая частота памяти является одним из ключевых факторов хорошей игровой производительности.

⇡#Описание тестовой системы и методики тестирования

Основная цель тестирования — на практике выяснить, какую долю производительности потеряет система на базе Ryzen (и потеряет ли вообще), если в ней применять не широко известные комплекты памяти на чипах SK hynix, а более доступные модули, основанные на микросхемах Samsung. Герой сегодняшнего обзора — набор G.Skill Trident Z5 Neo RGB DDR5-6000 CL36 32GB — является типичным примером памяти на чипах Samsung, где производитель постарался извлечь максимум из имеющейся элементной базы как за счёт отбора микросхем (бининга), так и благодаря оптимизации заводских настроек, заложенных в профиле Expо.

В тестировании этому набору будет противостоять стандартная память на микросхемах SK hynix A-die, представленная модулями Adata XPG Lancer RGB DDR5-6000 32GB. Они поддерживают ту же частоту, но имеют заводскую схему таймингов 30-38-38-96. Данный комплект не является рекордным с максимально сжатыми задержками — это типичное распространённое решение с CL30, которое сегодня встречается в продаже гораздо чаще, чем специализированные оверклокерские варианты.

Чтобы такое тестирование было более наглядным, измерение производительности проводилось как с таймингами из профилей Expo, так и после их ручной настройки. Полные сведения об используемых значениях задержек для всех режимов работы подсистемы памяти можно найти в таблице.

Стоит подчеркнуть, что при ручной настройке подсистемы памяти мы увеличивали частоту шины Infinity Fabric с заводских 2000 до 2100 МГц. Благодаря этому удаётся незначительно нарастить пропускную способность канала «процессор — память», при этом стабильность работы не теряется, а производительность не снижается из-за ухудшения качества сигналов.

Оставить комментарий

Обязательные поля помечены *

Имя *

Email *

Ваш комментарий *

Отправить комментарий