Компания Samsung Electronics начала отправку клиентам пробных партий HBM4E еще в конце мая, поэтому для SK hynix, ее главного конкурента, сокращение разрыва стало приоритетной задачей. Как и прогнозировалось, вторая компания объявила о старте поставок своих образцов HBM4E на текущей неделе, а именно — в четверг.
Источник изображения: SK hynix
Из официального заявления на сайте SK hynix следует, что ее ключевые заказчики уже начали получать 12-слойные чипы памяти HBM4E, способные передавать данные на скорости 16 Гбит/с в расчете на один контакт. В производстве применяется технология MR-MUF, которая повышает тепловое сопротивление на 17 %, одновременно улучшая стабильность работы. Энергоэффективность HBM4E от SK hynix выросла более чем на 20 % по сравнению с памятью предыдущего поколения. Один стек с 12 слоями вмещает 48 Гбайт памяти HBM4E.
Компания не уточняет, когда появятся серийные версии HBM4E, а также пока неясно, входит ли Nvidia в число получателей первых образцов. Однако, учитывая, что Nvidia является одним из крупнейших потребителей памяти класса HBM, сомневаться в сотрудничестве двух компаний в этой области практически не приходится.
