Специалисты TechInsights продолжают детально изучать новую разработку китайской корпорации Huawei Technologies, выявляя вероятные способы создания компанией современных процессоров с применением устаревающего оборудования голландской фирмы ASML. Последний анализ канадских исследователей продемонстрировал, что Huawei пока не приблизилась к освоению 5-нанометрового техпроцесса.
Источник изображения: TechInsights
Напомним, что Huawei вместе с крупнейшим китайским производителем полупроводников SMIC несколько лет назад наладили выпуск чипов по технологии, аналогичной 7-нм нормам Samsung и TSMC. К примеру, процессоры Ascend для своих вычислительных ускорителей Huawei производит на мощностях SMIC, применяя технологию N+2, которую приравнивают к 7-нм стандартам зарубежных компаний.
Теперь же лаборатория TechInsights из Канады выполнила реверс-инжиниринг нового процессора Kirin 9030 из смартфона Mate 80 Pro Max. Аналитики признали Kirin 9030 наиболее прогрессивным изделием в китайской полупроводниковой сфере. Несмотря на то, что Huawei и SMIC находятся под американскими санкциями и лишены доступа к современному оборудованию ASML, им удаётся развивать свои производственные методики.
Исследование выявило, что чип создан по обновлённому техпроцессу SMIC N+3 — следующей версии 7-нм норм, существенно усовершенствованной в сравнении с предыдущими поколениями. По оценке авторов отчёта, китайская компания SMIC по-прежнему зависит от доступного литографического оборудования с глубоким ультрафиолетовым излучением (DUV), которое использует лазер с длиной волны не менее 193 нм. Более современные сканеры с экстремальным ультрафиолетом (EUV) в Китай официально никогда не поставлялись, хотя именно они работают на длине волны 13,5 нм, что значительно облегчает миниатюризацию элементов полупроводников.
Плотность транзисторов в техпроцессе SMIC N+3 составила приблизительно 110 млн/мм². Это очевидный прогресс на фоне прежних китайских технологий, однако показатель всё ещё уступает коммерческим 5-нм решениям TSMC, где плотность достигает 140–170 млн/мм².
Согласно анализу экспертов TechInsights, полупроводниковая компания SMIC, по-видимому, вновь смогла уменьшить размеры транзисторов. Этого удалось достичь, применяя метод многократного наложения шаблонов на уже существующем оборудовании для глубокой ультрафиолетовой литографии (DUV). Данный способ производства является дорогостоящим и характеризуется значительным процентом дефектных изделий, однако именно он позволил Huawei получить более современные процессоры в сравнении с их предшественниками. Как отмечает TechInsights, показатель выхода годных кристаллов у SMIC всё ещё уступает показателям TSMC, что делает производство чипов в Китае на 20-50% дороже. На текущем этапе технологический процесс N+3 остаётся глубоко убыточным как для SMIC, так и для её ключевого заказчика, Huawei.
В сентябре стали известны сведения о том, что SMIC проводит испытания литографического сканера DUV, созданного одним из университетов Шанхая. Эта установка рассчитана на иммерсионную литографию и 28-нанометровые нормы, что по своим возможностям приближает её к оборудованию ASML образца примерно 2008 года. Маловероятно, что данная разработка была задействована в производстве чипов по нормативам N+3, а значит, SMIC, скорее всего, продолжает опираться на имеющиеся в её распоряжении литографы от ASML.
