В текущем году Samsung официально завершает выпуск флеш-памяти 2D NAND. Освободившиеся производственные мощности будут переориентированы для выполнения растущего спроса на память HBM4, вызванного стремительным прогрессом в области искусственного интеллекта.
Источник изображения: TechPowerUp
Согласно информации The Elec Korea, Samsung намерена официально остановить выпуск 2D NAND на своём предприятии в Хвасоне. Компания не станет закрывать завод, а перенастроит его оборудование для металлизации DRAM — процесса формирования проводящих соединений между ячейками памяти внутри чипов DRAM.
Производственная линия 12 в Хвасоне обладает мощностью от 80 000 до 100 000 12-дюймовых пластин ежемесячно. Это существенный объём, который до сих пор задействовался лишь для устаревшей после появления 3D NAND технологии 2D NAND Flash.
Теперь данная линия будет использоваться для выпуска DRAM шестого поколения по 10-нанометровому техпроцессу, предназначенной для HBM4. Samsung прогнозирует, что общие мощности по производству DRAM, включая линии 3 и 4 в Пхёнтхэке, достигнут примерно 200 000 пластин в месяц во второй половине года.
Память 2D NAND Flash впервые появилась в конце 1990-х годов. В последние годы производители памяти и накопителей постепенно отказывались от этой технологии, и Samsung следует этой тенденции. В марте выпуск 2D NAND будет полностью свёрнут, уступив место технологии 3D NAND Flash, которая превосходит старую планарную NAND по многим параметрам: предлагает бо́льшую ёмкость, повышенную надёжность и в целом значительно более высокую производительность.
