Уверенность руководства Nvidia в возможностях Samsung Electronics по производству высококачественной памяти HBM4 была публично продемонстрирована в этом месяце совместным снимком основателя первой компании с инженерами второй. Дженсен Хуанг (Jensen Huang), позируя прямо на кремниевой пластине с чипами HBM4, охарактеризовал эту память как «потрясающую». Тем временем Samsung уже ведёт разработку следующих поколений — HBM5 и HBM5E.
Источник изображения: Samsung Electronics
Эти данные на прошлой неделе обнародовало южнокорейское издание Business Korea. В версии HBM5 от Samsung базовый кристалл для стека памяти будет изготавливаться по 2-нанометровой технологии, а для HBM5E будут использованы кристаллы DRAM, произведённые по техпроцессу седьмого поколения 10 нм, условно обозначаемому как «1d». Компании уже удалось достичь соглашения с Nvidia о выпуске специализированных процессоров Groq 3 по 4-нм нормативам на своих контрактных производственных линиях. Глава соответствующего подразделения Samsung Хан Чжин Ман (Han Jin-man) особо отметил, что 4-нм процесс компании «ни в коем случае нельзя назвать рядовым».
Это заявление прозвучало от представителя Samsung Electronics в рамках мероприятия GTC 2026, которое Nvidia организовала в Калифорнии для своих партнёров. Учитывая, что на конференцию в Сан-Хосе были также приглашены руководители конкурирующей SK hynix, трудно представить более наглядное подтверждение важности корейских поставщиков HBM для Nvidia.
Специалисты Samsung уточнили, что базовый кристалл для HBM5 будет производиться силами компании с применением собственного 2-нм техпроцесса. Чипы DRAM в составе стека HBM5 будут выпускаться по шестому поколению 10-нм процесса (1c). Фактически, эта технология уже используется при производстве кристаллов DRAM для HBM4 и будет адаптирована для HBM5. Ключевым нововведением станет именно применение 2-нм технологии Samsung для создания базового кристалла. В случае с HBM4 базовый кристалл производится по 4-нм нормам. Именно это позволило Samsung опередить конкурентов и начать поставки HBM4 для Nvidia.
HBM5E будет производиться с использованием более современной версии 10-нм техпроцесса 1d для кристаллов DRAM в стеке, в то время как базовый кристалл останется 2-нм. Такой «шахматный» подход к модернизации технологических процессов при выпуске HBM, по всей видимости, позволяет Samsung минимизировать технологические риски. В самой компании уверены, что спрос на 4-нм техпроцесс в ближайшее время значительно возрастёт, поскольку он задействован в производстве базовых кристаллов для HBM4.
Что касается стартапа Groq, недавно приобретённого Nvidia, возможность Samsung производить его чипы имеет простое объяснение: партнёры уже работали вместе до сделки, начиная с 2023 года, и Samsung участвовала в создании процессоров LPU. В ходе подготовки к приобретению Nvidia установила, что 4-нм технологический процесс Samsung хорошо соответствует необходимым требованиям, поэтому производителя для чипов Groq решили не менять. Их массовое производство планируется начать на стыке третьего и четвёртого кварталов текущего года. Значительный рост спроса на чипы Groq 3 ожидается, начиная с будущего года. На конференции GTC 2026 глава Nvidia также оставил свой автограф на кремниевой пластине с чипами Groq 3, охарактеризовав их как «сверхскоростные».
