Тайваньская компания TSMC, являющаяся мировым лидером в области контрактного производства интегральных схем, расширяет свои возможности по выпуску чипов с использованием передовых технологических норм 2 нм и 3 нм. В то же время она значительно снижает объемы производства микросхем по устаревшим техпроцессам, о чем сообщает TrendForce, ссылаясь на Commercial Times.
Согласно данным источника, объем продукции, выпускаемой на предприятии Fab 15A, расположенном в Научном парке Центрального Тайваня в городе Тайчжун, с начала 2026 года сократился на 25%. Если ранее Fab 15A ежемесячно поставлял около 200 тыс. полупроводниковых пластин, то к июню этот показатель упал до 150 тыс. единиц.
Ранее эта площадка была основным центром, обеспечивающим значительную часть чипов, производимых TSMC по технологии 28 нм. Кроме того, здесь выпускались крупные партии микросхем с 22-нанометровыми нормами.
Как ранее информировал CNews, TSMC сталкивается с дефицитом передовых производственных и упаковочных мощностей, необходимых для работы по техпроцессу 3 нм. Это связано с растущим спросом на оборудование для высокопроизводительных вычислений и задач искусственного интеллекта, основанных на чипах, изготовленных по самым современным стандартам.
По информации Economic Daily News, упомянутая площадка Fab 15A будет перепрофилирована под выпуск продукции по технологии 4 нм в ходе модернизации, что потребует замены установленного на ней оборудования.
Расположенная рядом Fab 15B (часть того же комплекса, что и Fab 15A) пока остается ключевым производственным узлом TSMC, работающим по техпроцессу 7 нм.
Параллельно с модернизацией Fab 15A тайваньский гигант продолжает строительство еще одного завода в Тайчжуне — Fab 25, где в ближайшей перспективе планируется начать выпуск чипов по техпроцессу A14 (1,4 нм) после его полного освоения. Сообщается, что первый производственный корпус нового предприятия уже готов к эксплуатации.
Эксперты, опрошенные Commercial Times, отмечают, что текущая стратегия TSMC предполагает снижение объемов производства по норме 28 нм и перевод клиентов на технологию 12 нм, одновременно с увеличением инвестиций в развитие техпроцессов 2 нм, A14, фирменной технологии SoIC (System on Integrated Chips; вертикальное объединение чиплетов различных типов), а также кремниевой фотоники.
В компании ожидают, что выбранный подход позволит улучшить показатели эффективности использования капитала и средней цены продажи продукции (ASP).
Определённая доля мощностей TSMC, ориентированных на 28-нм техпроцесс, будет перенаправлена на изготовление кремниевых интерпозеров, сообщает Commercial Times. Параллельно компания старается уменьшить выпуск низкомаржинальной продукции, часть которой по-прежнему пользуется спросом. Это, в свою очередь, может побудить нынешних заказчиков обращаться к услугам более мелких производителей, специализирующихся на зрелых техпроцессах, например UMC и VIS.
По данным TrendForce, тайваньская UMC обладает хорошо отлаженным производством чипов по 28-нм технологии и в данный момент дорабатывает собственный 22-нм техпроцесс. У компании есть все возможности занять ту нишу на рынке полупроводников, которую TSMC намерена освободить.
Среди продуктов, которые может выпускать UMC, — микросхемы драйверов для OLED-дисплеев, модули Wi-Fi и другие чипы, востребованные в автомобильной отрасли и среди производителей потребительской электроники.
VIS (Vanguard International Semiconductor) — тайваньский контрактный производитель интегральных схем. Компания была основана Моррисом Чангом (Morris Chang), создателем TSMC, в 1994 году.
TSMC долгое время оставалась главным стратегическим партнёром VIS и крупнейшим акционером с долей 27,1%. Однако в середине мая 2026 года тайваньский гигант объявил о намерении сократить свою долю в капитале компании примерно до 19%, продав 152 млн обыкновенных акций (8,1%) VIS. В пресс-релизе компания подчеркнула, что это решение никак не повлияет на отношения между партнёрами.
С июня 2024 года TSMC не имеет своего представителя в совете директоров VIS.
В феврале 2026 года CNews сообщил, что TSMC передаст VIS часть своего не самого современного оборудования, подходящего для обработки кремниевых пластин диаметром 200 мм (8 дюймов). Это позволит последней удвоить производственные мощности.
Пластины диаметром 200 мм (8 дюймов) часто используются при выпуске чипов по зрелым техпроцессам, например, для силовой электроники, радиоэлектроники и автомобильных датчиков.