Компания Samsung анонсировала демонстрацию прототипов оперативной памяти LPDDR6 на выставке CES 2026, а её массовый выпуск начнётся через год. Новые чипы будут изготавливаться по 12-нанометровой технологии и достигнут скорости обмена данными до 10,7 Гбит/с на один контакт. Эта память следующего поколения найдёт применение в мобильных гаджетах, ресурсоёмких периферийных устройствах и системах искусственного интеллекта.
Источник изображения: ces.tech
Стандарт JESD209-6 от организации JEDEC определяет архитектуру LPDDR6. Её особенностью является двухканальная структура на кристалле — по 12 линий передачи данных в каждом подканале. Каждый из них обладает собственным набором командных и адресных сигналов. Подобная организация обеспечивает сохранение 32-байтовой гранулярности при высокой реальной пропускной способности. Реализована поддержка переменной длины пакетов данных от 32 до 64 байт.
Ключевым преимуществом LPDDR6 стало увеличение энергоэффективности на 21% — при аналогичных скоростях новые модули функционируют при сниженном напряжении питания по сравнению с LPDDR5. Конструкция включает два автономных источника питания VDD2, поддерживает динамическое изменение напряжения и частоты (DVFS), а также режим адаптивной производительности, позволяющий задействовать только один подканал при малой нагрузке.
Реализован комплекс мер безопасности: счётчик активации строк для предотвращения утечки заряда в смежных ячейках при интенсивном доступе; защищённые зоны с ограниченным доступом; встроенная на кристалле система коррекции ошибок (ECC); контроль чётности (CA Parity), защита каналов передачи и встроенный механизм самодиагностики памяти (MBIST).
Обсуждение совместимости новых процессоров с этим типом памяти пока преждевременно — компании Intel и AMD ещё не делали соответствующих заявлений.
