Известно, что в сфере памяти HBM3E у Samsung Electronics складывались непростые отношения с Nvidia в плане партнёрства. Компания долго стремилась получить сертификацию своей продукции данного типа по стандартам Nvidia, однако не сумела организовать крупномасштабные отгрузки и составить конкуренцию SK hynix. Теперь Samsung утверждает, что обогнала соперников, начав коммерческие поставки памяти HBM4 заказчикам.
Источник изображений: Samsung Electronics
Как сообщает Bloomberg, имена клиентов не раскрываются, но нетрудно предположить, что ключевым среди них является Nvidia. На фоне этой новости акции Samsung Electronics сегодня взлетели на 7,6%, обновив абсолютный рекорд. Корейскому гиганту предстоит конкурировать за место в цепочке поставок Nvidia для HBM4 с той же SK hynix, а также с американской Micron, которая недавно опровергла слухи о трудностях с сертификацией своей продукции для нужд Nvidia.
Все три поставщика должны обеспечить Nvidia чипами HBM4, поскольку они понадобятся для производства ускорителей поколения Vera Rubin и серверных систем на их базе. Массовый выпуск таких систем запланирован на текущий год, поэтому соответствующая память требуется партнёрам Nvidia уже сейчас.
Представители SK hynix ещё в октябре прошлого года заявляли, что компания начнёт отгрузку чипов HBM4 клиентам уже в четвёртом квартале, однако о значительных объёмах поставок можно будет говорить лишь с 2026 года. По словам представителей Samsung, запуск коммерческого производства HBM4 стал возможен благодаря опережению конкурентов в литографических технологиях. Компания применяет более совершенные техпроцессы (10-нм класса 1c) не только при изготовлении кристаллов DRAM в составе HBM4, но и для базового кристалла, который производится по 4-нм нормативам. В отличие от SK hynix, полагающейся в этой области на услуги TSMC, Samsung способна самостоятельно выпускать базовые кристаллы.
Технический директор Чжэ Хёк Сон (Jaehyuk Song) на этой неделе отметил: «Мы вновь доказываем истинный потенциал Samsung. Возможно, в последнее время мы не всегда показывали себя как компанию, полностью отвечающую запросам клиентов в области передовых технологий, но в ближайшее время вы увидите, как мы восстановим свои лидирующие позиции».
Согласно официальному сообщению Samsung, её память HBM4 обеспечивает скорость передачи данных до 13 Гбит/с, а в стабильном режиме работы достигает 11,7 Гбайт/с. Компания заявляет, что при производстве HBM4 достигнут стабильно высокий процент выхода годных изделий. На один контакт HBM4 передаёт данные в 1,22 раза быстрее, чем HBM3E. Благодаря изменениям в архитектуре и компоновке, преимущество увеличивается до 2,7 раза на один стек памяти. Пиковая пропускная способность HBM4 составляет 3,3 Тбайт/с.
12-слойная структура позволяет создавать модули памяти объёмом от 24 до 36 Гбайт. В будущем Samsung планирует выпустить 16-слойные стеки ёмкостью до 48 Гбайт. Базовый чип HBM4 был разработан с акцентом на высокую энергоэффективность. Этот показатель удалось повысить на 40% благодаря новым методам формирования межсоединений и оптимизации конструкции для снижения энергопотребления. По сравнению с HBM3E, эффективность теплоотвода улучшена на 30%, а тепловое сопротивление изменено на 10%. В целом, Samsung намерена в текущем году утроить объёмы продаж всех современных типов HBM. Во втором полугодии компания готова начать отгрузку образцов HBM4E заказчикам, а в следующем году предложит индивидуальные конфигурации такой памяти.
