Новости Hardware

Samsung ускоряется: первые образцы революционной памяти HBM4E появятся уже в следующем месяце

Для компании Samsung Electronics крайне важно закрепиться на рынке памяти HBM4E, своевременно предоставив ключевым заказчикам инженерные образцы, соответствующие всем техническим спецификациям. Уже в следующем месяце, опережая собственный план, Samsung планирует получить первые образцы HBM4E, которые будут обладать требуемыми параметрами.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Архитектура HBM4E предусматривает наличие логического кристалла, который располагается в основании стека с микросхемами DRAM. В случае с Samsung его выпуск возьмёт на себя контрактное подразделение компании, и соответствующий кристалл будет готов к середине мая. Проведя внутреннее тестирование полученных образцов HBM4E, Samsung затем передаст их для оценки компании Nvidia.

Формально Samsung демонстрировала образцы HBM4E ещё в марте этого года на конференции для разработчиков GTC 2026. Принято полагать, что эти образцы не были работоспособными и использовались исключительно для демонстрации. Ранее Samsung удалось первой среди трёх ведущих производителей объявить о начале поставок памяти типа HBM4, которая выйдет на рынок раньше HBM4E. Базовый кристалл для HBM4E корейская компания намерена изготавливать по 4-нм техпроцессу, а чипы DRAM в стеке — по 10-нм техпроцессу шестого поколения (1c), что также должно дать ей преимущество перед конкурентами. Применение 4-нм техпроцесса для выпуска базового кристалла Samsung начнёт ещё в рамках производства HBM4.

SK hynix, которая привлекает TSMC для изготовления базовых кристаллов, постарается ускорить переход на более передовые технологии. При выпуске HBM4 она намерена комбинировать 12-нм техпроцесс для базового кристалла и 10-нм техпроцесс пятого поколения (1b) для чипов DRAM в стеке. Предполагается, что для HBM4E базовые кристаллы будут выпускаться TSMC по 3-нм технологии.

Согласно некоторым данным, Nvidia немного отстаёт от изначального графика вывода на рынок ускорителей поколения Vera Rubin и Rubin Ultra, которые будут использовать HBM4 и HBM4E, поэтому и массовое производство памяти этих типов также осваивается с задержкой. Однако Samsung в любом случае не хочет уступать конкурентам в этой области.

Поделиться:

0 Комментариев

Оставить комментарий

Обязательные поля помечены *
Ваш комментарий *
Категории
Популярные новости