Новости Hardware

Samsung бросила вызов: 1 нм и «вилочные» транзисторы к 2030 году

Нехватка производственных мощностей у TSMC создаёт дополнительные перспективы для Samsung Electronics в области контрактного производства полупроводников. Южнокорейский гигант планирует не только представить клиентам несколько вариантов 2-нанометрового процесса, но и к 2030 году выйти на 1-нм технологические нормы. Внедрение последней будет сопровождаться переходом на новую архитектуру расположения транзисторов.

 Источник изображения: Samsung Electronics

Источник изображения: Samsung Electronics

Как сообщает Hankyung, речь идёт о технологии «forksheet» (вилочный лист), предназначенной для дальнейшего повышения плотности транзисторов и рассматриваемой как развитие архитектуры GAA (транзистор с затвором со всех сторон), которую Samsung начала применять ещё на 3-нм техпроцессе. Несмотря на то, что Samsung опередила TSMC в запуске массового производства 3-нм чипов, ей не удалось привлечь большое число заказчиков для этого поколения технологий.

 Источник изображения: IMEC

Источник изображения: IMEC

Архитектура «вилочный лист» предполагает использование изолирующих структур между GAA-транзисторами, что позволяет разместить их плотнее, повышая производительность чипа без увеличения площади кристалла. Согласно данным из Южной Кореи, TSMC также намерена внедрить «вилочный лист» в своих 1-нм технологиях после 2030 года. Обе компании готовятся к активной конкуренции на этом рубеже.

Между тем, на производственных линиях Samsung выход годных изделий по 2-нм техпроцессу превысил 60%, а объёмы выпуска чипов значительно возросли. Если подразделению контрактного производства удастся обеспечить достаточный портфель заказов, оно может стать прибыльным уже в этом году, пока же его работа остаётся убыточной. Компания прилагает все усилия, чтобы удовлетворить клиентов: для Tesla была создана специализированная версия процесса SF2T. Массовое производство чипов для этого заказчика начнётся в конце следующего года на новом заводе Samsung в Техасе. Для внутренних нужд, начиная с текущего года, Samsung будет использовать процесс SF2P для выпуска мобильных процессоров Exynos. В следующем году он будет усовершенствован до версии SF2P+. Японская компания Rapidus также в скором времени планирует начать выпуск 2-нм продукции, поэтому с учётом предложений Intel конкуренция в этом сегменте будет только обостряться.

Поделиться:

0 Комментариев

Оставить комментарий

Обязательные поля помечены *
Ваш комментарий *
Категории