HBM4E представляет собой седьмую версию технологии памяти, основанную на многослойной компоновке DRAM-кристаллов. К 2027 году Samsung Electronics планирует запустить серийный выпуск HBM4E, что позволит добиться повышения скорости обмена данными в 2,5 раза по сравнению с текущим поколением HBM3E.
Источник изображения: Samsung Electronics
Согласно Business Korea, ссылающейся на выступление представителей Samsung на OCP Global Summit 2025 в Калифорнии, корпорация планирует достичь скорости передачи данных через HBM4E до 13 Гбит/с на один контакт. Учитывая, что HBM4E будет располагать 2048 контактами, совокупная производительность может составить 3,25 ТБ/с. При этом энергоэффективность HBM4E окажется более чем вдвое выше показателей HBM3E.
Ранее в январе Samsung прогнозировала пропускную способность HBM4E на уровне 10 Гбит/с на контакт, поэтому достижение 13 Гбит/с является значительным прогрессом. Этот рывок во многом обусловлен требованиями Nvidia, которая запросила у партнёров-поставщиков памяти для ускорителей Rubin повышение пропускной способности HBM4 с 8 до 10 Гбит/с. Samsung и SK hynix ответили увеличением планки до 11 Гбит/с, а Micron также была вынуждена последовать их примеру.
В результате такого роста производительности HBM4 производителям пришлось скорректировать параметры перспективной HBM4E, что Samsung официально подтвердила. Примечательно, что итоговая пропускная способность этой памяти впервые превысит психологически важный рубеж в 3 ТБ/с.
Параллельно Samsung раскрыла детали о стандарте LPDDR6, утверждённом JEDEC в июле этого года. Компания намерена повысить энергоэффективность на 20% относительно LPDDR5X, а пропускную способность довести до 114,1 ГБ/с.
В сегменте контрактного производства Samsung намерена начать массовый выпуск 2-нм продукции до конца текущего года. Первым заказчиком в этой области стал южнокорейский разработчик ИИ-ускорителей — компания Rebellions. Соответствующие 2-нм чипы смогут работать на частотах от 3,5 до 4,0 ГГц, что превосходит показатели 4-нм процессоров Nvidia Grace с архитектурой Arm от TSMC, функционирующих на частоте 3,44 ГГц.
