В конце мая компания Samsung Electronics анонсировала старт отгрузки тестовых образцов памяти формата HBM4E, обогнав таким образом своего главного соперника — SK hynix, с которым ей не удавалось конкурировать на этапе HBM3E. Последнюю такой ход, очевидно, не устраивает, поэтому она намерена начать поставки собственных образцов HBM4E раньше запланированного срока.
Источник изображения: SK hynix
Согласно данным южнокорейских источников, изначально SK hynix планировала начать поставки образцов HBM4E во втором полугодии, однако теперь компания стремится осуществить их либо в текущем месяце, либо не позднее июля. Формально это означает некоторое ускорение процесса по сравнению с первоначальным графиком. Учитывая, что HBM4E сама по себе предполагает глубокую кастомизацию памяти под требования конкретных клиентов, поставки образцов необходимо начинать заранее, чтобы в будущем быстрее выйти на серийное производство.
Вероятнее всего, HBM4E будет применяться в ускорителях Nvidia серии Rubin Ultra, которые появятся на рынке в следующем году. На каждый графический процессор будет приходиться до 384 Гбайт памяти HBM4E, что приведёт к росту общей потребности в таких чипах. Для производства своей HBM4E компания SK hynix планирует использовать техпроцесс 1c для кристаллов DRAM и 3-нм техпроцесс TSMC для базовых кристаллов. Для сравнения, Samsung Electronics способна выпускать HBM4E исключительно собственными силами, но базовые кристаллы она намерена производить по более зрелому 4-нм техпроцессу. Обе компании готовы предлагать HBM4E в 12-ярусном исполнении со скоростью передачи данных от 14 до 16 Гбит/с на один контакт. Один стек HBM4E может вмещать до 48 Гбайт памяти.
