Samsung ускорит память HBM4E до 13 Гбит/с
Новости Hardware

Samsung ускорит память HBM4E до 13 Гбит/с

HBM4E представляет собой седьмое поколение технологии высокоскоростной памяти, в которой несколько слоев DRAM-памяти объединяются в единый стек. Компания Samsung Electronics планирует начать массовый выпуск HBM4E в 2027 году. Новая память позволит...

Категории