Microsoft представила новый ИИ-ускоритель Maia 200 с рекордным объемом памяти
Компания представила специализированный ускоритель для задач инференса, созданный по 3-нм техпроцессу. Чип оснащен собственными тензорными ядрами с поддержкой форматов FP8 и FP4, а также полностью переработанной подсистемой памяти. Она включает 216...
Samsung обходит конкурента: станет главным поставщиком новой памяти для чипов Nvidia
Отставание от SK hynix в поставках памяти HBM3E для Nvidia наносит Samsung Electronics не только репутационный, но и финансовый ущерб. Чтобы компенсировать это, компания намерена занять доминирующую позицию на следующем этапе — в поставках памяти в...
Samsung переключается на DDR5: производство стало выгоднее, чем HBM3E
Ранее на фоне бума ИИ выпуск памяти HBM3E считался для производителей значительно более рентабельным, чем производство DDR5, что привело к дефициту и резкому росту цен на последнюю. Однако для Samsung ситуация изменилась: сейчас выпуск популярных...
Samsung ускорит память HBM4E до 13 Гбит/с
HBM4E представляет собой седьмое поколение технологии высокоскоростной памяти, в которой несколько слоев DRAM-памяти объединяются в единый стек. Компания Samsung Electronics планирует начать массовый выпуск HBM4E в 2027 году. Новая память позволит...
